现代集成电路中，场效应管逐渐替代BJT双极结型晶体管（传统三极管）成为主流。因为相较于BJT三极管，场效应管具有输入阻抗高，工作电流小的优点。由此构成的集成电路具有功耗小热噪小的优点。一个场效应管的剖面图如下图，具有栅极、源极、漏极。其中源极和漏极电流可反相，而栅极制作于薄二氧化碳硅之上。

场效应管分为P型沟道-N型衬底与N型沟道-P型衬底，一般集成电路同时需要两者以完成电平的转换。P型场效应管一般连接电源端，N型场效应管一般连接接地。集成电路多使用P型晶圆衬底，因此N型管可以直接制作在衬底上，而P型管需要“N阱”进行隔离。当场效应管的栅极被施加电压时，电子被吸引形成导电沟道，从而源极漏极导通。如下图所示。

当栅极源极电压Vgs超过阈值后，当Vgs衡定，源极-漏极电流恒定。当Vgs小于阈值时，场效应管的V-I曲线类似于电阻，因此称为电阻区。当Vgs过大，器件造成击穿，此时电流会失去控制。

当Vgs超过阈值后，Vgs与其控制电流的对应关系接近线性，如下图。