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· 金属有机物化学气相沉积
GaN，GaAs
· 化学气相沉积
SIC
· 离子注入
B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
· 高温氧化
1150℃
· 高温扩散/退火
900℃-1100℃
· 快速退火
150℃-1000℃
· MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）
Si上多晶金刚石的外延生长
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