· 表面微加工牺牲层工艺

      多种牺牲层技术，包括PI，多晶硅，SiO2，Cu和PSG等

· 微电镀

     可利用刻蚀等工艺对块硅进行准三维结构的微加工，以形成所需要的硅微结构。

· 深硅刻蚀

      深反应离子腐蚀工艺，基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。其工艺步骤为：钝化----刻蚀---钝化----刻蚀。钝化为反应室中通入C4F8气体，通过化学反应形成聚合物薄膜；刻蚀为反应室中通入SF6气体，进行物理和化学刻蚀。刻蚀均匀性±5%，边壁角度：90± 1 °，刻蚀高深宽比超高10:1。

· PZT和AlN工艺

      AlN薄膜最厚可生长2um，6寸晶圆厚度均匀性＜2%，残余应力可控制在200MP内，FWHM低至1°。PZT薄膜。具体工艺能力包括，薄膜最厚可生长2um，压电系数可实现e31为15C/m2，击穿场强可达200V，应力可控制在100MPa内。